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本实用新型涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本实用新型沉积二氧化硅薄膜的装置包括：炉管1、闸阀2和过滤器3；...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。