一种沉积二氧化硅薄膜的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置，用以解决现有技术中存在的在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，会产生大量颗粒，从而降低产品质量的问题。本实用新型专利技术沉积二氧化硅薄膜的装置包括：炉管1、闸阀2和过滤器3；其中，所述闸阀2处于所述炉管1和所述过滤器3之间。由于闸阀2处于炉管1和过滤器3之间，在沉积二氧化硅薄膜后进行破真空出炉时，避免过滤器3里面的制程残留物倒灌到炉管1里面，从而减少了产生的颗粒数量，提高了产品质量。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种沉积二氧化硅薄膜的装置。
技术介绍
在集成电路的制造工艺中，由于注入源、漏杂质时的横向扩散会产生短沟道效应， 使MOS管的开启电压产生变化，而且会使高能量的离子注入会令多晶侧壁损伤，因此，在进行集成电路制造时，经常使用浅结(LDD)注入和侧墙隔离(SPACER)层保护来减少短沟道效应的影响和对多晶侧壁的损伤。在工艺制作时，制作侧墙隔离层所使用的气体为正硅酸乙酯(TEOS)，也就是 Si(0C2H5)4，又称四乙氧基硅烷。采用正硅酸乙酯沉积的二氧化硅薄膜具有良好的柔韧性和台覆性，因此被广泛的用于MOS器件中的侧墙隔离层及电容隔离层。目前，使用低压化学气相沉积方法来沉积二氧化硅薄膜的工艺已经成熟，广泛的用于器件生产制作当中，其主要反应如下Si(0C2H5)4 — Si02+4C2H4+2H20正硅酸乙酯在常温下是一种液体，它在加热之后通过气相传输的方式进入低压炉管，再在低压高温的环境下进行分解反应，实现二氧化硅薄膜的沉积。但是目前普遍遇到的一个难题就是如何去降低沉积过程中所产生的颗粒。正硅酸乙酯分解时属于不完全反应和过量反应，在淀积薄膜的同本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种沉积二氧化硅薄膜的装置，其特征在于，该装置包括：炉管（１）、闸阀（２）和过滤器（３）；其中，所述闸阀（２）处于所述炉管（１）和所述过滤器（３）之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘根，徐家俊，黄辛庭，秦正健，宋定峰，冯超林，叶双飞，王传鹏，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11