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本发明公开了一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅极介质层、多晶硅层和刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成图案化硬掩膜层；以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述刻蚀停止层形成图案化刻蚀停止层；以图案化硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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