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本发明公开了一种沟渠式半导体组件及其制作方法。沟渠式半导体组件包括一沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件与一沟渠式静电防护组件，且沟渠式静电防护组件电性连接于沟渠式金属氧化物半导体晶体管组件的栅极与源极之间，借此提供优良的静电防护能力。沟渠式静...
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