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一种自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法，包括下列步骤：a)形成一沟槽式多晶硅栅极结构于一硅基材内；b)形成一自对准多晶硅延伸结构由沟槽式多晶硅栅极结构向上延伸，此自对准多晶硅延伸结构的宽度小于沟槽式多晶硅栅极结构的宽度；c)氧化前述自对准...
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