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本发明提供了一种提高钛锡酸锶薄膜阻变存储性能的方法，所述方法包括向钛锡酸锶薄膜材料中掺杂摩尔含量为所述钛锡酸锶薄膜材料的0.1～4％的Mg和0.1～4％的Mn；所述钛锡酸锶薄膜材料的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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