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本发明公开了一种基于表面浮雕结构的环形腔面发射半导体激光器，其特征在于，该环形腔面发射半导体激光器自下至上依次由下电极(1)、衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、上DBR(6)、λ/4反相层(7)、上电极(8)、表面浮雕...
该专利属于长春理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过长春理工大学授权不得商用。

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