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本发明公开了一种形成交替排列的P型和N型半导体薄层的工艺方法，步骤一，在表面取向为(100)或(110)晶面的衬底硅片上生长一层N型外延层；步骤二，在所述N型外延层上形成沟槽；步骤三，在所述沟槽内采用硅源气体、卤化物气体、氢气和掺杂气体的混...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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