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纳米硅薄膜晶体管压力传感器，属于传感器技术领域。它解决了现有压力传感器存在零点漂移的问题。它由第一纳米硅薄膜晶体管、第二纳米硅薄膜晶体管、第三纳米硅薄膜晶体管、第四纳米硅薄膜晶体管和单晶硅衬底组成，第一纳米硅薄膜晶体管的漏极连接电源VDD，...
该专利属于黑龙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过黑龙江大学授权不得商用。

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