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本发明公开了一种埋栅太阳能电池的制备方法，涉及太阳能应用技术领域，为能够有效降低生产成本和工艺复杂度，而且利于环保而发明。所述埋栅电极的制备方法，包括：在硅基片表面设置开有电极窗口的掩模层；采用等离子体刻蚀技术在所述硅基片上与所述电极窗口对...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。