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一种CMOS图像传感器制作方法，其中，包括：形成常规结构的光电二极管；控制离子注入角度，对所述光电二极管设定区域进行多次离子注入，且所述多次离子注入的区域至少部分重合，从而在所述光电二极管设定区域中形成至少一条沟道，使得在所述光电二极管垂直...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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