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根据本发明的通孔加工方法包括步骤：提供掩膜；根据掩膜来刻蚀衬底以形成通孔；部分填充所述通孔，以在所述通孔的侧壁上形成保型覆盖的绝缘氧化层；以及去除所述掩膜。本发明可以消除波什刻蚀工艺所产生的硅通孔侧壁的扇贝形貌对后续工艺的影响，并且在硅通孔...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司;上海华力微电子有限公司授权不得商用。