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本发明公开了一种硅通孔内形成绝缘层的方法，该方法包括如下步骤：提供包含器件区域和非器件区域的硅衬底，所述器件区域上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的硅衬底中形成有源极和漏极，所述源极和漏极两侧形成有场隔离区，其中，所述源极和漏极已经完成离子...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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