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一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，能够提高N+型源极层和浮栅的耦合率来改善程序特性并且谋求存储单元面积的缩小化。在N+型源极层(4)的两侧形成有槽(3)。槽(3)的侧壁由与两个STI2的端面平行的槽侧壁(2a)和槽侧壁(2b)、由与S...该专利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社授权不得商用。
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一种非易失性半导体存储装置及其制造方法，能够提高N+型源极层和浮栅的耦合率来改善程序特性并且谋求存储单元面积的缩小化。在N+型源极层(4)的两侧形成有槽(3)。槽(3)的侧壁由与两个STI2的端面平行的槽侧壁(2a)和槽侧壁(2b)、由与S...