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本发明公开一种异质结构场效应二极管及制造方法，该结构包括衬底及依次设于衬底上的绝缘高阻半导体与宽禁带异质结构势垒层，绝缘高阻半导体与宽禁带异质结构势垒层构成二维电子气的异质结构外延层，宽禁带异质结构势垒层及绝缘高阻半导体的顶部通过刻蚀形成一...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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