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本发明公开了一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底之上形成隧道绝缘层；在所述隧道绝缘层之上形成包含第一浓度的第一杂质离子的电荷陷阱层；在所述电荷陷阱层之上形成包含第二浓度的第二杂质离子的补偿层；使所述补偿层内的第...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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