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使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路制造技术
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文档序号:6656726
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本发明提供使用自旋MOS晶体管的非易失性存储器电路,其具备:第一p沟道MOS晶体管,具有作为源极和漏极中的一个的第一电极和作为另一个的第二电极;第二p沟道MOS晶体管,具有作为源极和漏极中的一个的第三电极和作为另一个的第四电极;第一n沟道自...
该专利属于株式会社东芝所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社东芝授权不得商用。
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