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一种高密度电阻型随机存储单元制造技术
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下载一种高密度电阻型随机存储单元的技术资料
文档序号:6642237
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本发明公开了存储器技术领域中的一种高密度电阻型随机存储单元。该存储单元的阻变部分嵌入在晶体管栅氧化层和栅电极层之间,通过晶体管沟道向栅极的隧穿电流对阻变层进行写操作,对存储单元的读操作直接在阻变层两端进行。该存储单元可以有效减小晶体管的体积...
该专利属于清华大学所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学授权不得商用。
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