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本发明涉及生长氮化物半导体的方法及由其形成的氮化物半导体衬底。一种生长氮化物半导体层的方法包括：准备衬底；在该衬底上形成氮化物半导体点；以及在该氮化物半导体点上生长氮化物半导体层。该氮化物半导体层可从该衬底分离以用作氮化物半导体衬底。...
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