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本发明属于不挥发存储器技术领域，具体为一种采用电场增强层的阻变存储器及其制造方法。本发明阻变存储器包括顶电极、底电极以及位于所述顶电极与所述底电极之间的一层阻变功能介质层和一层电场增强层；所述的电场增强层和电阻转变存储层相邻，并且，电场增强...
该专利属于复旦大学所有，仅供学习研究参考，未经过复旦大学授权不得商用。

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