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本发明公开了一种基于SOI材料的具有自整流效应的阻变存储器。所述阻变存储器由SOI基片、沉积于所述SOI基片上的底电极、沉积于所述底电极上的阻变层和沉积于所述阻变层上的上电极组成；所述底电极为条状的p型硅电极；所述阻变层为n型氧化锌薄膜；所...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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