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一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法技术
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下载一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法的技术资料
文档序号:6600308
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本发明属于固态照明领域,特别是一种用于制备LED芯片外延生长的纳米图形化衬底的方法,具体方法是把均匀分散的氧化硅纳米球溶液滴在经洁净处理蓝宝石衬底上,使用匀胶机把氧化硅纳米球均匀单层涂覆在蓝宝石衬底表面;以涂覆氧化硅纳米球做掩膜的蓝宝石衬底...
该专利属于浙江东晶光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江东晶光电科技有限公司授权不得商用。
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