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本发明公开了一种二维光子晶体结构GaN基LED的制备方法，包括首先在目标上旋涂一层紫外光刻胶，利用紫外软纳米压印将模板的二维光子晶体结构复制到光刻胶表面，刻蚀去掉残胶，在光子晶体紫外胶上蒸渡一层SiO2或Cr膜，经刻蚀在目标片上得到这种光子...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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