温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供能在不产生绝缘膜厚度的偏差或衬底损伤的情况下形成在半导体衬底中埋入绝缘膜的RESURF结构的功率用半导体装置的制造方法和用该方法制造的功率用半导体装置。本发明的制造方法具有：工序（a），在半导体衬底（6）上形成硅氮化膜（7）；工序...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。