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一种应力稳定的MOS晶体管的栅的制造方法，属于半导体器件领域，尤其涉及关于MOS晶体管的栅的制造方法，来固定锗硅源漏或锗硅虚拟衬底引入到MOS晶体管沟道区的应力。它的特征是先在MOS晶体管的栅电极区域淀积原子无序排列的硬度较小的栅材料，之后...
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