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本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。在一实施例中， 本发明的金属氧化物半导体晶体管的栅电极具有延伸至一延伸介电层的一 上部边缘的一部分，该延伸介电层分隔该栅电极与该金属氧化物半导体晶体 管的一漏极区。另外，在邻近该栅电极的该部分...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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