温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种直字符线反或型(NOR)闪存阵列的制作方法，其是在反或型闪存阵列中的字符线完成后开始进行源极行的注入，且是在该反或型(NOR)闪存阵列的基板中形成平行于组件隔离结构的间断式注入区，每一间断式注入区使源极列与源极行上的源极接点...
该专利属于宜扬科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宜扬科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。