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本发明公开了一种半导体集成电路，包括：包括构成二极管的阳极的第一极性型扩散层和与所述第一极性型扩散层相向布置且构成阴极的第二极性型扩散层的二极管、所布置的将所述二极管的四方包围起来的第二极性型衬底或者阱接触，在所述二极管的第一极性型扩散层、...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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