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本发明公开了一种抗电浪涌低压保护硅二极管及其制备方法。它包括如下步骤：1）在P型硅单晶抛光片表面上扩散入N+型半导体杂质磷,得到PN+硅片；2）用电子化学清洗1#液和2#液清洗PN+硅片，经过纯水冲洗,将硅片甩干；3）在清洗后的PN+硅片上...
该专利属于杭州杭鑫电子工业有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州杭鑫电子工业有限公司授权不得商用。

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