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本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料为硅-铋-碲的化合物，化学通式为SixBiyTe100-(x+y)，其中，10
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。
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