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本发明提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质刻蚀步骤，用于通过硬掩膜尺寸调整在刻蚀过程中去除栅极侧壁杂质。根据本发明的消除栅极侧壁再沉积的方法能够在很大程度上消除不期望出现的钨...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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