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提供了一种用于形成微电子组件的方法和一种微电子组件。在具有第一浓度的第一掺杂剂类型的基板(20)上形成第一和第二半导体器件(72)。在第一和第二半导体器件下方分别形成具有第二掺杂剂类型的第一和第二掩埋区(28)，其中在其之间具有间隙(34)...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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