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本发明公开了一种具有开放位线结构的半导体存储器件，包括正常存储单元模块、参考存储单元模块和读出放大器。所述正常存储单元模块包含多个正常存储单元和与所述正常存储单元相连接的驱动位线。所述参考存储单元模块包括与参考单元电容器相连接的参考位线。所...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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