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本发明涉及碳化硅半导体装置。存在难以不增加工序数而制造抑制了特性不均的碳化硅半导体装置的问题。本发明的碳化硅半导体装置具备：作为第一导电型的碳化硅半导体衬底的Ｎ型ＳｉＣ衬底（１）和Ｎ型ＳｉＣ外延层（２）；多个凹陷部（１０），断续地形成在Ｎ型...
该专利属于三菱电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三菱电机株式会社授权不得商用。

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