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本发明公开了一种非易失性存储器的测试方法，其包括：ａ，选定任意一条字线或位线上的一组非易失性存储单元；ｂ，对该组非易失性存储单元中奇数位非易失性存储单元写入数据后，量测第一漏电流值；ｃ，对该组非易失性存储单元中偶数位非易失性存储单元写入数据...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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