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本发明提供了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括化合物半导体基板、ｎ－沟道场效晶体管区域以及ｐ－沟道场效晶体管区域。ｎ－沟道场效晶体管区域形成在化合物半导体基板上并且包括：第一沟道层；ｎ型第一势垒层，与第一沟道层形成异质结并且供应ｎ型电荷...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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