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本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的ＭＯＳ器件结构及其制造方法。该ＭＯＳ器件结构，包括Ｓｉ衬底和位于Ｓｉ衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区与Ｓｉ衬底之间，以及漏区与Ｓｉ衬底之间...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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