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一种用于高性能声表面波器件的压电薄膜，由金刚石衬底和该衬底表面形成的一层六方氮化硼薄膜构成，所述六方氮化硼薄膜是厚度为0.6-0.8?m的纳米薄膜；其制备方法是：在在MOCVD沉积系统的进样室，先对金刚石衬底表面进行表面等离子体清洗，然后采...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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