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本发明提供一种半导体装置，能使在ESD保护元件上产生的热迅速且高效地向半导体装置外部散热。该半导体装置(1)包括：具有漏极区域(4)、源极区域(6)和栅电极(7)的MOSFET型ESD保护元件，和热扩散部。在漏极区域上形成的热扩散部包括与垫...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。

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