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一种栅增强功率半导体场效应晶体管制造技术
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文档序号:6095227
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本发明提供的是一种栅增强功率半导体场效应晶体管。包括漏区(201)、漂移区(202)、介质层(203)、分裂栅(204)、栅电极(205)、n+层(206)、源电极(207)、沟道区(208),介质层(203)的K值是按一定规律分布的,即K...
该专利属于哈尔滨工程大学所有,仅供学习研究参考,未经过哈尔滨工程大学授权不得商用。
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