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本发明公开了一种以Ta2O5薄膜为电介质膜的电容器制备方法，其特征在于，包括下列步骤：在所需制备薄膜电容器的衬底上，镀制下部电极；在形成的下部电极上镀制电介质薄膜；在电介质薄膜上镀制电容器的上部电极；其中，所述电介质薄膜的镀制包括，提供一真...
该专利属于苏州大学所有，仅供学习研究参考，未经过苏州大学授权不得商用。

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