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一种具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统的平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管的基础上引入N型载流子存储层(5)和大的P+体区(4)结构。N型载流子存储层(5)提高了发射极附近的电导调制效应，大的P+...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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