The invention relates to a IGBT with a carrier storage layer and an additional hole path, which belongs to the technical field of semiconductor power devices. The present invention introduces a N type carrier storage layer (5) and a large P+ body area (4) structure on the basis of a conventional planar non insulated insulated gate bipolar transistor. The N type carrier memory layer (5) improves the conductance modulation effect near the emitter, and the large P+ region (4) structure provides an additional path for the hole, thereby improving the anti latch capability. And the N type carrier storage layer (5) and P+ (4) body design, optimization of the existing flow path of the insulated gate bipolar transistor current hole, the security area of the device is enlarged and the lower sensitivity latch current density on the temperature.
【技术实现步骤摘要】
一种具有载流子存储层和额外空穴通路的IGBT，属于半导体功率器件
技术介绍
IGBT(Insulate Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极晶体管是一种新型的电力半导体器件。现已成为电力电子领域的新一代主流产品。它是一种具有MOS输入、双极输出功能的M0S、双极相结合的器件。结构上，它是由成千上万个重复单元(即元胞)组成， 并采用大规模集成电路技术和功率器件技术制造的一种大功率集成器件。IGBT既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点， 又具有双极功率品体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点。所以IGBT功率器件的三大特点就是高压、大电流、高速，这是其它功率器件不能比拟的。它是电力电子领域非常理想的开关器件。IGBT最大的优点是无论在导通状态还是在短路状态都可以承受电流冲击，其不足之处是高压IGBT内阻大，导致导通损耗大，在应用于高(中)压领域时， 通常需多个串联，并且过压、过热、抗冲击、抗干扰等承受力较低。自20世纪80年代初期，IGBT器件研制成功以来，其工艺技术和参数不断改进和提...
【技术保护点】
１．一种具有载流子存储层和额外空穴通路的ＩＧＢＴ，其单个元胞包括位于Ｐ型集电区（２）背面的金属化集电极（１）、Ｐ型集电区（２）、位于Ｐ型集电区（２）正面的Ｎ－漂移区（３）；包括位于Ｎ－漂移区（３）顶部、与金属化发射极（１０）和栅氧化层（９）二者部分接触的Ｎ＋型源区（７），与栅氧化层（９）接触且半包围Ｎ＋型源区（７）的Ｐ型基区（６）；其特征在于：还包括与栅氧化层（９）接触且半包围Ｐ型基区（６）的Ｎ型载流子存储层（５）和一个Ｐ＋体区（４），所述Ｐ＋体区（４）位于与金属化发射极（１０）下方，与金属化发射极（１０）、Ｎ＋型源区（７）、Ｐ型基区（６）、Ｎ型载流子存储层（５）和Ｎ－漂移...
【技术特征摘要】
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