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本发明涉及一种超晶格纳米器件。该超晶格纳米器件包括至少一个结构单元，该结构单元包括：一第一电极，其包括一基底及形成在该基底上的一一维纳米结构；一功能层，其位于该基底上并环绕上述一维纳米结构；及一第二电极，其与该第一电极电绝缘，且该第二电极环...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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