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本发明公开了一种新型具有延伸沟槽的超结半导体器件的制造方法，通过多次外延多次注入、刻蚀延伸沟槽、填充绝缘介质以及平坦化，之后形成有源层和电极等关键工艺步骤，实现了一种新型超结结构和超结半导体器件的工艺制造。相对于现有技术，本发明具有以下优点...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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