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公开了一种高生产率地制造具有高电特性的薄膜晶体管的方法。在用于形成双栅薄膜晶体管的沟道区的方法中，其中该双栅薄膜晶体管包括第一栅电极和面向第一栅电极的第二栅电极且沟道区设置在其间，第一微晶半导体膜在用于形成用非晶半导体填充晶粒间空隙的微晶半...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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