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本发明公开了一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，该制备方法是首先对制绒后的硅片进行重扩散形成p-n结，然后去除非受光面的p-n结或者去除硅片边缘的p-n结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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