The invention discloses a method for preparing uniform light emitter solar cells, the preparation method is first to silicon texturing after the formation of p-n junction diffusion, and then removed by the smooth surface of the p-n junction or p-n junction silicon wafer edge removal, cleaning and removing the oxide layer on the silicon wafer surface, and then by smooth of infiltration processing enhance surface hydrophilicity, then to smooth emitter on the full range of uniform corrosion to form the full range of light emitter and the emitter surface hydrophobic treatment, and then by the deposition of dielectric film on the silicon wafer surface function, finally, the positive and negative electrodes and back field preparation and sintering to form a uniform light emitter solar battery. The solar cell prepared by the method of the invention has the advantages of low preparation cost, high conversion efficiency, and suitability for industrial large-scale production, and has very good economic benefit.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳电池
，具体涉及一种均勻浅发射极太阳电池的制备方法。
技术介绍
随着人类社会的发展，对能源的需求不断增长。太阳能作为环保的可再生能源之一，近年来越来越受到世界各国的重视和支持，太阳能被看作未来最重要的能源供应方式。 太阳电池光伏发电作为太阳能的主要利用方式，在不久的将来要成为常规化石能源的替代，必须具备低成本高效率的特点。晶体硅太阳电池是目前主流的太阳电池，因此晶体硅太阳电池低成本高效率技术的研究开发显得尤为重要。 目前传统晶体硅太阳电池的工业化生产制造流程主要分为八大环节硅片清洗一绒面制备一高温扩散一去除磷硅玻璃一等离子边缘刻蚀或腐蚀背面p-n结一PECVD沉积 SiNx:H薄膜一丝网印刷正面、背面电极和背铝一高温共烧结。在高温共烧结过程中电极会烧穿氮化硅与发射极形成合金接触，因此为了形成良好的金属半导体接触，使得接触电阻较小的同时避免电极烧穿发射极发生漏电现象，对发射极的深度和发射极表面磷掺杂浓度的要求较高。通常，晶体硅太阳电池用硅片在高温扩散形成发射极后，其表面掺杂磷原子或硼原子的浓度很高，在IO21 IO22CnT3的范围内，方块...
【技术保护点】
１．一种均匀浅发射极太阳电池的制备方法，其特征在于，首先对制绒后的硅片进行重扩散形成ｐ－ｎ结，然后去除非受光面的ｐ－ｎ结或者去除硅片边缘的ｐ－ｎ结，清洗去除硅片表面的氧化层，接着对硅片受光面进行浸润处理增强表面亲水性，再对受光面发射极进行全范围均匀腐蚀形成全范围浅发射极，并对发射极进行表面疏水性处理，然后在硅片受光面沉积功能介质薄膜，最后进行正负电极和背面场制备并烧结形成均匀浅发射极太阳电池。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。