温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供一种使用硅化的金属栅极电极以及其形成方法。本发明的半导体装置由提供基材(32)，并在基材(32)上提供介电层(34)而制成。多晶硅体(36)设于介电层(34)上，而金属层(60)则设于多晶硅体(36)上。进行硅化过程以大致上硅化整...
该专利属于先进微装置公司所有，仅供学习研究参考，未经过先进微装置公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。