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本发明公开了一种In-Se基热电材料的制备方法，该方法首先采用熔炼法合成In-Se材料，得到元素分布均匀的In-Se化合物，然后采用区熔生长法，通过优化熔融温度、熔区宽度、生长速度等工艺参数，制备具有良好晶粒取向性的In-Se基大块多晶材料...
该专利属于中国科学院宁波材料技术与工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院宁波材料技术与工程研究所授权不得商用。

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